CLY 10
GaAs FET
_________________________________________________________________________________________________________
Datasheet * Power amplifier for mobile phones * For frequencies from 400 MHz to 2.5 GHz * Wide operating voltage range: 2.7 to 6 V * POUT at VD=3V, f=1.8GHz 28.5 dBm typ. * High efficiency better 55 %
ESD:
Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions!
Type
CLY 10
Marking
CLY 10
Ordering code (taped)
1
Q62702-L94
G
Maximum ratings Drain-source voltage Drain-gate voltage Gate-source voltage Drain current Channel temperature Storage temperature Total power dissipation (Ts < 80 °C) 2) Total power dissipation (Ts < 110 °C) 2)
Thermal resistance Channel - soldering point 2)
Pin Configuration 2 3 4 S
D
S
Package 1)
SOT 223
Symbol VDS
Values
Unit
9
V
VDG VGS
12
V
-6
V
ID
2.1
A
TCh Tstg
150
°C
-55...+150
°C
PtotDC
3.5 2.0
W
RthChS
≤20
K/W
1) Dimensions see chapter Package Outlines 2) Ts is measured on the source lead to the PCB under load.
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 1/7
17.12.96 HL EH PD 21
CLY 10
GaAs FET
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Electrical characteristics (TA = 25°C , unless otherwise specified) Characteristics Drain-source saturation current VDS = 3 V
VDS = 3 V ID = 700 mA Pin = 0 dBm
VDS = 3 V ID = 700 mA Pin = 0 dBm
1.2
1.6
2.4
A
ID
-
-
200
µA
IG
-
10
35
µA
VGS(p)
-3.8
-2.8
-1.8
V
VDS = 3 V ID = 700 mA Pin = 20.5 dBm
8
-
Po
28
28.5
-
dBm
Po
32.0
32.5
-
dBm
P1dB
-
28.5
-
dBm
P1dB
-
32.5
-
dBm
PAE
40
55
-
%
f = 0.9 GHz
f = 1.8 GHz
f = 1.8GHz
Power Added Efficiency VDS = 5 V ID = 700 mA Pin = 20 dBm
dB
f = 1.8 GHz
1dB-Compression Point ID = 700 mA
-
-
f = 1.8 GHz
1dB-Compression Point ID = 700 mA
9
G
Output Power VDS = 5 V ID = 700 mA Pin = 20 dBm
dB -
f = 1.8 GHz
Output Power
*
IDSS
G
Small Signal Gain **)
VDS = 5 V
Unit
ID=200µA
Small Signal Gain *)
VDS = 3 V
max
VGS = -3.8 V
Pinch-off Voltage VDS= 3 V
typ
VGS = -3.8 V
Gate pinch-off current VDS = 3 V
min
VGS = 0 V
Drain-source pinch-off current VDS = 3 V
Symbol
f = 1.8 GHz
) Matching conditions for maximum small signal gain: f = 1.8 GHz Source Match: Γms: MAG = 0.70, ANG -116°; Load Match: Γml: ;MAG 0.68, ANG -145°
**
) Power matching conditions: f = 1.8 GHz Source Match: Γms: MAG = 0.70, ANG -120°; Load Match: Γml: ;MAG 0.78, ANG -130°
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 2/7
17.12.96 HL EH PD 21
CLY 10
GaAs FET
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Compression Power vs. Drain-Source Voltage f = 1.8GHz; IDS = 0.5 IDSS P1dB
ηD
40 [dBm] 35
80 [%] 70
16 [dB] 14
4.0 [W] 3.5
30
60
12
3.0
25
50
10
2.5
20
40
8
2.0
15
30
6
1.5
10
20
4
1.0
5
10
2
0.5
0
0
0 0
1
2
3
4
5
6
P1dB
Small Signal Gain
7[V] 8
0 0
1
2
3
4
5
6
7[V] 8
Drain-Source Voltage
Drain-Source Voltage
Output Characteristics 1,8
PtotDC
Draincurrent [A]
1,6
VGS=0V
1,4 VGS=-0.5V
1,2 1
VGS=-1V
0,8 VGS=-1.5V
0,6 0,4
VGS=-2V
0,2
VGS=-2.5V
0 0
1
2
3
4
5
6
Drain-Source Voltage [V]
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 3/7
17.12.96 HL EH PD 21
CLY 10
GaAs FET
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typ. Common Source S-Parameters VDS = 3 V f GHz
S11 MAG
0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,2 1,4 1,5 1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,5 3 3,5 4 4,5 5 5,5 6
0,97 0,94 0,92 0,89 0,88 0,85 0,84 0,83 0,83 0,83 0,83 0,83 0,83 0,84 0,84 0,85 0,86 0,87 0,88 0,88 0,88 0,9 0,9 0,91 0,92 0,93 0,93 0,92
ANG
S21 MAG
-46,7 -66,5 -83,8 -98,3 -110,6 -130,5 -145,7 -157,8 -167,9 -176,7 175,5 168,6 156,3 145,5 140,4 135,6 126,4 117,9 110 102,7 99 83,3 70,3 59,4 49,1 39,4 29,7 20,8
12,54 11,55 10,29 9,27 8,35 6,8 5,67 4,85 4,2 3,69 3,29 2,95 2,45 2,07 1,91 1,77 1,54 1,35 1,19 1,06 0,99 0,74 0,57 0,46 0,38 0,33 0,28 0,25
Siemens Aktiengesellschaft
ID = 700 mA
ANG
S12 MAG
152,1 139,8 129,8 121,5 113,8 102 92 83,9 76,8 70,1 64,1 58,5 47,7 37,7 33 28,3 19,2 10,5 2,1 -6 -9,8 -27,3 -41,4 -52,8 -63,3 -73,5 -82,9 -90,9
0,01013 0,01418 0,01729 0,01981 0,02179 0,02484 0,02739 0,02978 0,03211 0,03431 0,03669 0,03901 0,04357 0,04826 0,05055 0,05255 0,05666 0,06018 0,06309 0,06575 0,06683 0,07096 0,0727 0,07424 0,07458 0,07561 0,07602 0,07392
pg. 4/7
Zo = 50 Ω
ANG
S22 MAG
ANG
71 63,5 57,8 53,6 49,5 45,7 42,8 41 39,8 38,5 37,2 36,2 33,1 29,8 28,2 26,3 22,1 17,8 13,7 9,6 7,3 -2,7 -11,6 -19,4 -27,5 -34,8 -42,6 -50,4
0,55 0,57 0,58 0,61 0,62 0,64 0,65 0,66 0,66 0,68 0,68 0,69 0,69 0,7 0,72 0,72 0,73 0,75 0,76 0,76 0,77 0,79 0,81 0,84 0,85 0,88 0,89 0,9
-175,9 -175,9 -177,6 -178,6 -179,6 176,6 173,9 170,4 167,9 165,1 162,1 160,1 154,8 149,4 147,3 144,3 139 134,2 129,5 124,8 121,7 110,1 99,4 89,2 80 70,2 60 49
17.12.96 HL EH PD 21
CLY 10
GaAs FET
_________________________________________________________________________________________________________
typ. Common Source S-Parameters VDS = 5 V f GHz
S11 MAG
0,1 0,15 0,2 0,25 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1 1,2 1,4 1,5 1,6 1,8 2 2,2 2,4 2,5 3 3,5 4 4,5 5 5,5 6
0,96 0,93 0,91 0,88 0,87 0,84 0,83 0,82 0,82 0,81 0,82 0,82 0,82 0,83 0,84 0,84 0,85 0,86 0,87 0,88 0,88 0,9 0,91 0,91 0,92 0,93 0,93 0,92
ANG
S21 MAG
-48,5 -68,8 -86,4 -101 -113,2 -132,9 -147,7 -159,5 -169,4 -177,9 174,5 167,7 155,7 145,1 140,1 135,4 126,3 118 110,1 102,8 99,1 83,3 70,3 59,3 48,9 39,2 29,5 20,6
14,2 12,97 11,48 10,26 9,19 7,43 6,17 5,25 4,54 3,98 3,55 3,17 2,62 2,2 2,04 1,88 1,63 1,42 1,25 1,1 1,03 0,76 0,57 0,45 0,37 0,31 0,26 0,23
ID = 700 mA
ANG
S12 MAG
150,6 137,9 127,5 119,1 111,4 99,4 89,4 81,2 73,9 67,1 61 55,1 43,9 33,6 28,7 23,8 14,3 5,1 -3,6 -12,2 -16,1 -34,4 -49 -60,5 -71,1 -81,2 -90,4 -97,9
0,01079 0,01503 0,01801 0,02041 0,02224 0,02486 0,02691 0,02894 0,03078 0,03264 0,03469 0,03667 0,04065 0,04503 0,04721 0,04917 0,05335 0,05705 0,0602 0,06313 0,06448 0,06956 0,07219 0,07429 0,07489 0,07614 0,07667 0,07466
Zo = 50 Ω
ANG
S22 MAG
ANG
68,9 60,6 54,4 50,1 45,9 41,7 39,1 37,6 36,7 35,8 35 34,4 32,4 29,9 28,8 27,2 23,5 19,7 15,9 12 9,9 -0,2 -9 -17,1 -25,5 -32,9 -40,9 -48,6
0,45 0,47 0,5 0,53 0,55 0,56 0,58 0,59 0,6 0,61 0,61 0,62 0,64 0,65 0,66 0,67 0,69 0,71 0,72 0,73 0,74 0,77 0,81 0,83 0,85 0,89 0,9 0,91
-171,9 -171,3 -173,3 -174,5 -175,6 -179,8 177,5 173,8 171,4 168,7 165,8 163,9 158,8 153,6 151,6 148,5 143,3 138,5 133,8 129 125,9 113,9 102,8 92,1 82,5 72,3 61,7 51
Additional S-Parameter available on CD.
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 5/7
17.12.96 HL EH PD 21
GaAs FET
CLY 10
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Total Power Dissipation PtotDC = f(Ts)
Permissible Pulse Load Ptotmax/PtotDC = f(tp)
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 6/7
17.12.96 HL EH PD 21
CLY 10
GaAs FET
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CLY10 Power GaAs-FET Matching Conditions Definition:
Γ
Γ
Measured Data: Typ
f [GHz]
VDS [V]
ID [mA]
P-1dB [dBm]
Gain [dB]
Γms MAG
Γms ANG
Γml MAG
Γml ANG
CLY10
0.9
3 5 6 3 5 6 3 5 6 3 5 6
700 700 700 700 700 700 700 700 700 700 700 700
26.7 32.0 33.8 28.5 32.5 33.3 28.5 32.5 33.3 27.9 31.3 33.3
15.3 15.4 14.9 10.0 10.1 10.2 9.0 9.5 9.7 7.2 7.4 7.5
0.58 0.57 0.56 0.70 0.67 0.67 0.70 0.70 0.73 0.77 0.74 0.73
169 173 174 -135 -127 -134 -120 -120 -125 -86 -92 -87
0.68 0.69 0.68 0.79 0.76 0.72 0.78 0.78 0.77 0.73 0.65 0.70
-156 -157 -155 -132 -133 -132 -123 -125 -126 -107 -110 -110
1.5 1.8 2.4
Note: Gain is small signal gain @ Γms and Γml
Siemens Aktiengesellschaft
pg. 7/7
17.12.96 HL EH PD 21
